IRLD110PBF
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | IRLD110PBF |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.72 |
10+ | $1.547 |
100+ | $1.2435 |
500+ | $1.0216 |
1000+ | $0.8465 |
2000+ | $0.7881 |
5000+ | $0.7589 |
10000+ | $0.7395 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±10V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 4-HVMDIP |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 600mA, 5V |
Verlustleistung (max) | 1.3W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1A (Ta) |
Grundproduktnummer | IRLD110 |
IRLD110PBF Einzelheiten PDF [English] | IRLD110PBF PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
IRLD110PBF. IR
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
IRLF024TRL IR
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
IRLD014PBF. IR
RF ABSORB SHEET 12.205"X8.661"
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
RF ABSORB SHEET 12.205"X8.661"
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IRLD110PBFVishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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